Titel: Analyse af henfaldsdynamik i germanium nano-øer i silicium
Vejleder: Brian Julsgaard
Fagområde: Optisk halvlederfysik
Abstract: Germanium nano-øer kan indlejres i silicium og udsende lys, hvis de befolkes med elektron-hul-par (såkaldte eksitoner). Disse eksitoner vil henfalde med en hurtig rate, når der er mange eksitoner til stede og en langsom rate der dominerer, når der kun er en enkelt eksiton tilbage per nano-ø. Energien af det udsendte lys afhænger også af antallet af eksitoner, se f.eks. [B. Julsgaard, et al., Nanotechnology 22, 435401 (2011)] for yderligere information. I dette projekt vil vi studere denne dynamik i større detalje og anvende mere avancerede modeller på de eksisterende eksperimentelle data fra ovennævnte publikation. En stor del af projektet indbefatter udvikling af analyse-software i Matlab.