Bf.65 Halvlederfysik
Indhold I dette kursus behandles fundamentale aspekter af halvleder-fysikken med hovedvægten lagt på beskrivelse af halvlederes elektriske egenskaber samt hvorledes disse udnyttes i mikroelektronikkomponenter.
Halvlederen i ligevægt (delvis repetition)
Intrinsic halvleder
Dopanter og energiniveauer
Extrinsic halvleder
Statestik for donorer og acceptorer
Ferminiveauets afhængighed af dotering samt temperatur
Transportfænomener
Drift af ladningsbærere
Diffusion af ladningsbærere
Einstein relationen
Hall effekt
Ladningsbærere i ikke-ligevægtssituationer
Generation og rekombination af ladningsbærere
Kvasi-Ferminiveauer
Levetider af ladningsbærere
Effekt af overfladetilstande
pn-dioden
Zero bias
Reverse bias
I-V karakteristik af ideel diode
Generations-rekombinationsstrømme
Elektrisk breakdown af dioden
Diodetransienter
Solceller
Metal-halvleder og halvleder heterojunctions
Schottky dioden
Ohmske kontakter
Heterojunctions
Bipolære transistor
Basale operationsprincipper
Fordeling af minoritetsladningsbærere
Strømforstærkning
Frekvensbegrænsninger
MOSFET
Basale fysiske egenskaber
Capacitets-spændings karakteristik
Basale operationsprincipper
Frekvensbegrænsninger
Litteratur
Donald A. Neaman, Semiconductor physics and devices-basic principles, Irwing Book Team, Boston, 1997.
Kursets form og omfang
2 timers forelæsning og 2 timers øvelser om ugen.
Lærer
Brian Bech Nielsen
Belastning
1 point/5 ECTS.
Semester
Forår.