Absorptionsmålinger på nanostrukturer i silicium

Titel: Absorptionsmålinger på nanostrukturer i silicium

Vejleder: Brian Julsgaard

Fagområde: Eksperimentel faststoffysik/optik

Abstract: Silicium er på grund af dets elektriske egenskaber et af de mest anvendte materialer i den elektroniske industri. Silicium kan dog kun udsende lys i meget ringe grad, hvilket betyder, at man ikke kan lave en fuld elektro-optisk integration på en almindelig computerchip. Denne manglende optiske aktivitet kan måske afhjælpes med nanostrukturer indlejret i silicium, og dette projekt stiler mod at måle absorptionsegenskaberne af sådanne strukturer. Specifikt skal den studerende opbygge en forsøgsopstilling og anvende metoder fra optikken til at optimere og analysere måleresultaterne.