Titel Defekter og nanostrukturer i halvledere
Vejleder Arne Nylandsted Larsen
Fagområde Eksperimentel faststoffysik
Abstract Halvlederindustriens kæmpesuccess er for en stor dels vedkommende baseret på en imponerende kontrol af gitterfejl i de halvlederkrystaller, som benyttes i halvlederkomponenterne. Det kan være kontrollerede mængder af ønskede gitterfejl som f.eks. urenhedsatomer, der gør krystallen p- eller n-type, men det kan også være uønskede gitterfejl, der opstår under fremstillingen af komponenten.
Vi arbejder især med procesinducerede gitterfejl i halvlederkrystallerne Si, Ge, og SiGe, hvor de processer, som skaber fejlene, er typiske processer til fremstillingen af halvlederchips. Vi fokuserer bl.a. på fejlenes geometriske strukturer og deres elektriske egenskaber, om man kan gøre dem nyttige, og hvis ikke hvordan man så kan undgå dem eller slippe af med dem. Derudover har vi et nystartet, men meget aktivt projekt der går ud på at fremstille optisk aktive nanostrukturer i Si-baserede halvledere. Det lange perspektiv i det projekt er bl.a. at blive i stand til at fremstille optisk aktive komponenter på en Si-chip (lys-emitterende dioder) og måske en Si-baseret laser. Det er muligt, at lave bachelorprojekter indenfor begge disse områder.